در رفتن شرکت سامسونگ کره جنوبی الکترونیک و IBM، سرمایه گذاری مشترک بین غول های فناوری آمریکایی موفق به توسعه تراشه جدیدی شده است که با فناوری منحصر به فرد خود می تواند مصرف انرژی را به میزان قابل توجهی کاهش دهد و عمر باتری دستگاه را تا یک هفته افزایش دهد.
به گزارش فرارو، آی‌بی‌ام و سامسونگ آخرین پیشرفت‌های خود را در طراحی نیمه‌رسانا اعلام کرده‌اند، روشی جدید برای قرار دادن ترانزیستورها بر روی یک سطح نیمه‌رسانا بر روی یک تراشه عمودی به‌جای تراشه افقی.
طراحی جدید ترانزیستورهای میدان انتقال عمودی (VTFET) نسخه پیشرفته‌تری از فناوری فعلی FinFET است که در برخی از پیشرفته‌ترین تراشه‌های امروزی استفاده می‌شود و می‌تواند تراشه‌ها را حتی تراکم‌تر از ترانزیستورهای امروزی بسته‌بندی کند. به طور خلاصه، طراحی جدید ترانزیستورها را به صورت عمودی روی هم قرار می دهد و به جای طراحی افقی کنار هم که در اکثر تراشه ها استفاده می شود، اجازه می دهد تا جریان از پشته ترانزیستورها بالا و پایین برود.
در حالی که ما هنوز با استفاده از طرح‌های VTFET که می‌توانند روی تراشه‌های واقعی استفاده شوند، فاصله داریم، این دو شرکت ادعاهای بزرگی دارند، با توجه به اینکه تراشه‌های VTFET می‌توانند “بهبود بازدهی مضاعف یا کاهش 85 درصدی مصرف برق” ارائه دهند. با فناوری فعلی FinFET و تاکید بر بسته بندی ترانزیستورهای بیشتر در تراشه ها، IBM و سامسونگ ادعا می کنند که فناوری VTFET می تواند به هدف مور برای افزایش تعداد ترانزیستورها کمک کند.
آی‌بی‌ام و سامسونگ همچنین به دنبال استفاده‌های بلندپروازانه از فناوری‌های جدید هستند، مانند «باتری‌های موبایلی که به جای چند روز می‌توانند بیش از یک هفته شارژ شوند»، استخراج ارز دیجیتال با انرژی کم یا رمزگذاری داده‌ها. و حتی ابزارهای اینترنتی قدرتمندتر. اشیاء یا فضاپیماها.
IBM اولین تراشه 2 نانومتری خود را در اوایل سال جاری رونمایی کرد که رویکرد متفاوتی را برای مونتاژ ترانزیستورهای بیشتر اتخاذ می‌کند و مقداری را که می‌تواند با استفاده از طراحی FinFET موجود بر روی تراشه انجام دهد، افزایش می‌دهد. با این حال، VTFET می‌خواهد همه چیز را تغییر دهد، اما احتمالاً تا زمانی که تراشه‌های مبتنی بر IBM و آخرین فناوری سامسونگ وارد بازار شوند، فاصله زیادی داریم.
با این حال، این دو غول فناوری جهانی تنها کسانی نیستند که به دنبال تغییر فناوری تراشه هستند. اینتل در تابستان امسال از دموی طراحی RibbonFET رونمایی کرد که جایگزین فناوری فعلی تولید FinFET این شرکت خواهد شد. این فناوری بخشی از نسل 20A محصولات نیمه هادی اینتل است که تولید آن در سال 2024 آغاز خواهد شد. این شرکت اخیراً برنامه های خود را برای فناوری ترانزیستور انباشته به عنوان جانشین احتمالی RibbonFET در آینده اعلام کرده است.
منبع: theverge
ترجمه: مصطفی جرفی-فرارو
